Feixes de elétrons guiam transformações estruturais em escala atômica em cristais
Utilizando microscopia eletrônica de transmissão, os pesquisadores capturaram os movimentos dinâmicos dos átomos de tântalo em cristais de KTaO? e induziram com sucesso uma transformação estrutural precisa em bronze...

a. Esquema estrutural do KTaO?; b. Esquema da irradiação por feixe de elétrons no modo STEM. Crédito: IMR
Uma equipe conjunta de pesquisa do Instituto de Pesquisa de Metais (IMR) da Academia Chinesa de Ciências e do Laboratório de Materiais do Lago Songshan alcançou o controle preciso e a observação em tempo real de transformações estruturais em escala atômica, um desafio científico fundamental na fabricação em escala atômica.
O estudo foi publicado na revista Advanced Materials .
Utilizando microscopia eletrônica de transmissão, os pesquisadores capturaram os movimentos dinâmicos dos átomos de tântalo em cristais de KTaO e induziram com sucesso uma transformação estrutural precisa em bronze de tungstênio, identificando os principais parâmetros de controle no processo.
Como eles realizaram essa transformação
Os pesquisadores "removiam" seletivamente átomos de potássio e oxigênio do KTaO por meio de dose e deslocamento controlados de elétrons, gerando vacâncias que, subsequentemente, impulsionaram a migração de átomos de tântalo, mais pesados. Esse movimento atômico coordenado transformou o material de uma estrutura perovskita em uma fase estável de bronze de tungstênio tetragonal em condições ambientais.
O trabalho estabelece uma importante base científica tanto para a "fabricação de precisão" quanto para a "observação clara" em escala atômica. Ele revela os mecanismos atômicos do movimento atômico induzido por feixe de elétrons e da transformação estrutural, ao mesmo tempo que abre caminho para uma via técnica de "escultura" atômica baseada em feixe de elétrons.
Combinando imagens de contraste de fase de baixa dose e cálculos da teoria do funcional da densidade, os pesquisadores elucidaram claramente os caminhos de migração atômica e os mecanismos subjacentes que os impulsionam.
Este trabalho oferece importante suporte teórico e técnico para a fabricação em nível atômico de futuros dispositivos eletrônicos de óxidos funcionais.
Mais informações: Tong?Tong Shi et al, In?Situ Observation of Atom Motion and Manipulation of Structural Transformation, Advanced Materials (2025). DOI: 10.1002/adma.202520290
Informações sobre o periódico: Materiais Avançados